IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和普通雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT的特點(diǎn)是在低壓下具有MOSFET的高輸入阻抗和開(kāi)關(guān)速度，在高壓下具有普通雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降。

IGBT適用于高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用，如電力電子設(shè)備、驅(qū)動(dòng)器、變流器、逆變器等。

IGBT的結(jié)構(gòu)包括N溝道MOSFET和雙極PNP晶體管，通過(guò)加在柵極的電壓控制電流的流動(dòng)。

IGBT的工作原理是控制柵極電壓來(lái)控制電流的通斷，可實(shí)現(xiàn)高效率、高可靠性的功率轉(zhuǎn)換。

IGBT具有較高的開(kāi)關(guān)頻率和較低的損耗，但也因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的復(fù)雜性有一定的失溫問(wèn)題。